热生长相关论文
研究了表面涂覆CeO对 Fe-Cr合金和310不锈钢在1000~1100℃氧化行为的影响。发现表面涂覆CeO降低了合金上CrO层的生长速率,特别是有效......
该文初步综述了近年来关于MOS结构热生长SiO[*v2*]膜中电荷陷阱的实验方法和结果。作者推广了Meyer和Crook的结果,并且提出一个简单......
3.7前端工艺2008年,绝大多数的前端工艺技术需求表都需要进行更新。最重要的更新是表FEP4a和4b:热生长/薄膜/掺杂/刻蚀。表FEP4的......
采用电子束物理气相沉积方法(EB-PVD)在NiCoCrAlYHf粘结层上沉积YSZ热障层,研究了该热障涂层1 100℃的循环氧化行为(每个循环为:1 ......
针对典型热障涂层结构以界面开裂和涂层剥落为主要失效模式,考虑界面凹凸微观形貌特征,借助材料转换的方法实现氧化生长,利用粘弹......
研究了快速热生长二氧化硅MOS结构的负偏压温度不稳定性。这种MOS结构在未经受过金属化后热处理时有室温负偏压不稳定性,但热处理......
The semi-conductive performances of hot growth film on 316L stainless steel were studied by means of electrochemical imp......
SI^+注入的热生长SiO2,未退火及1000℃以下退火样品的光致发光谱为峰值在470nm的蓝光带,其光致发光激发谱主要为一位于250nm的窄峰,且谱形不信赖于退火条件,光......
随着器件几何尺寸的缩小,将整个工艺过程中的扩散时间减至最小已变得日益重要。任何工序,如果所用的扩散时间长于必需的扩散时间,......
隧道小孔中超薄SiO2的生长是EEPROM电路制造的关键工艺之一。采用SUPREM-Ⅲ工艺模拟程序对超薄SiO2的热生长进行了工艺模拟,经过大量的工艺实验及优化,确定......
研究了真空热处理对非晶C3N4薄膜的晶化作用,X射线衍射谱和透射电镜选区电子衍射图象表明,真空热处理有利于β-C3N4晶体结构的生成。......
氧化物电影在在 373 K 之间的温度范围在基于 Fe 的体积的表面上形成了金属性的眼镜, 573 K 被描绘,他们腐蚀行为上的效果被微结构和......
为模拟涡轮叶片热障涂层在不均匀温度场作用下热生长氧化层(TGO)的热生长和陶瓷面层(TC)的烧结强化,采用时间和温度相关的TGO热生长模......
MnxCo3-xO4尖晶石具有很好的铬离子外扩散抑制性能,且通过调整组成可设计最佳的热膨胀系数与电导率,以满足铁素体连接体的应用.Co-......