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浅掺杂漏区相关论文
4nm超薄栅nMOSFET中漏电压对栅控产生电流影响研究
研究了90nmCMOS工艺下4nm超薄栅氧化层LDDnMOSFET中漏电压VD对栅调制产生电流‰的影响,随着VD的增加,IGD曲线上升沿不变,而下降沿向右......
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栅氧化层
漏电压
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浅掺杂漏区
gate oxide
drain voltage
threshold voltage
LDD
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