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研究了90nmCMOS工艺下4nm超薄栅氧化层LDDnMOSFET中漏电压VD对栅调制产生电流‰的影响,随着VD的增加,IGD曲线上升沿不变,而下降沿向右漂移,这归因于VD增大引发了闽值电压增大所致。研究发现IGD下降沿最大跨导GMW随着VD的变化成幂指数关系:GMW=VDn,n=0.08。进一步发现电流上升沿与下降沿最大跨导所对应的栅电压VG差与VD成线性关系,斜率为1.19。文中给出了相关的物理机制。