氮化铝粉体相关论文
以微电子技术和信息技术为代表的高新技术迅速发展，以及集成电路向超大规模发展，对IC芯片基板材料的性能要求越来越高，除了满足集成电......
采用溶胶凝胶工艺制备了铝源和碳源的均匀混合物,分析了铝源与碳源的比例对合成氮化铝物相的影响规律,研究表明,在一定的碳铝比范......
探讨了利用原位自反应技术合成ＡＩＮ粉体的可行性，通过化学成分分析、Ｘ射线衍射及扫描电镜等检测手段对氮化产物进行表征，并对氮化反应热力......
本文研究了氮化铝（AIN）粉体中主要微量元素含量的测定方法，样品采用了湿法、高压微波消解等四种方法；采用了电感耦合等离子体原子发射......
概述了自蔓延燃烧法（Self-propagating high-tetnperature synthesis，简称SHS）制备氮化铝（AlN）粉体的原理及方法。重点综述了纳米AlN陶......
将自蔓延方法制备的氮化铝粉体加入到有机硅树脂中,制备出导热性能优良的印制电路组件用高导热有机硅灌封材料,并详细介绍了该灌封......
引言 氮化铝（A1N）具有高强度、高体积电阻率、高绝缘耐压、热膨胀系数与硅匹配好等特性，不但成为新型的高导热陶瓷电子基板和封装材料......
采用溶胶凝胶工艺制备了铝源和碳源的均匀混合物，分析了铝源与碳源的比例对合成氮化铝物相的影响规律，研究表明，在一定的碳铝比范围内......
将超细Al2O3粉、纳米碳黑和有机粘结剂混合,通过挤压成形和排胶处理制成多孔前驱体,然后高温煅烧发生碳热还原氮化反应,最后脱除残......
阐述了氮化铝粉体可作为新型高热导率基板材料原料的理由。对国内外AlN粉体制备技术的特点和研究进展进行了综述,对氮化铝粉体的制......
氮化铝(AlN)陶瓷具有热导率高、热膨胀系数低、电阻率高等特性以及良好的力学性能,被认为是新一代高性能陶瓷基片和封装的首选材料......
