以微电子技术和信息技术为代表的高新技术迅速发展，以及集成电路向超大规模发展，对IC芯片基板材料的性能要求越来越高，除了满足集成电路基板材料的传统性能之外，对基板材料热导率、介电常数、热膨胀系数等提出更为严格的要求。氮化铝（AIN）是Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体中最引人注目的材料，具有高的热导率和电阻率，低的介电常数和介电损耗，与硅相接近的热膨胀系数、是高密度电子基板和封装的理想候选材料。然而，AlN陶瓷的制备工艺复杂、成本高，至今未能形成大规模的生产和应用。以上各种限制因素促使如何在低成本的前提下，制备高性能的AlN陶瓷成为当前的研究热点之一。　　 高质量的AlN粉体是制备高热导AlN陶瓷的前提，因此要获得高热导率的AlN陶瓷，首先必须获得纯度高、粒度小且分布均匀的AlN粉体。本论文围绕传统自蔓延燃烧合成法（SHS）存在反应速度快、粉体团聚严重等缺点，进一步通过优化工艺条件来降低生产成本和提高粉体性能；采用真空热压烧结技术研究AlN粉体的烧结性能并对AlN陶瓷的低温烧结工艺进行探索。　　 本论文对SHS法制备AlN纳米粉体进行研究，探讨原料配比、N2压力及流量、保温时间、助燃温度、添加剂种类和数量等工艺参数对SHS法合成纳米AlN组成和结构的影响；采用差热分析（TG/DSC）分析了Al-N2体系的热力学机理；运用X-射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、激光粒度分析仪对所合成的AlN粉体的物相、微观形貌、颗粒度等性能进行分析研究。结果表明，当Al：NH4F（wt％）为4：1，氮气压力小于0.5MPa，助燃烧温度为1000℃时，燃烧合成产物纯度高，粒度小且分布均匀；当含添加剂Y2O3、Dy2O3时，燃烧合成产物的微观形貌为晶须、球形颗粒，以及少量的晶棒夹杂在粉体之间，且粒度大于未含添加剂的试样；当含添加剂Nb时，合成产物主要为一维纳米结构且沿（100）晶面存在明显择优取向。根据SEM、DSC等分析研究，燃烧合成AlN粉体符合SLG机制，而SHS法制备的AlN纳米线则符合SLS生长机制。　　 以市售（合肥健坤化工有限公司）AlN粉体为对比实验，采用真空热压烧结技术，对该实验室制备的AlN粉体进行了烧结性能的研究。定性的研究了粉体粒径的大小、烧结助剂、烧结工艺对AlN陶瓷的影响。运用X-射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）对AlN陶瓷物相和微观形貌进行分析，结果表明：该实验室制备的AlN粉体烧结活性明显高于市售AlN粉体。在同样的工艺条件下，未含助烧结剂时，前者在烧结温度1550℃，获得致密度高、晶粒度小且分布均匀的AlN陶瓷，而后者在1650℃时，坯体中仍有少量的开口气孔；当含助烧结剂Dy2O3，La2O3，Y2O3，烧结温度为1550℃时保温90min，以本实验室制备的粉体烧结得到的AlN陶瓷晶粒细小，结构均匀，其断面中穿晶断裂模式和沿晶模式并存，而市售AlN粉体在1650℃时，仍存在部分开口气孔；含助烧结剂Y2O3的AlN陶瓷主要以穿晶断裂模式存在，而含助烧结剂Dy2O3，La2O3的AlN陶瓷仍以沿晶断裂方式为主。