氧施主相关论文
主要描述了扩展电阻探针在确定硅片电阻率的微区分布、硅片中施主态氧沉淀的微观分布，及经氧外扩散后，硅片表面区中间隙氧分布等方面......
研究了p型含氮以及不含氮直拉（CZ）硅中热施主（TD）以及氮氧（N-O）复合体的电学性质。硅片在350-850℃范围进行不同时间的退火后，利用四探针......
本文根据硅片表层器件有源区中的缺陷对器件性能有着严重的影响，以及在制备器件时会引入的杂质和缺陷的事实，提出了使用内吸除技术来......
本文对含氮ＣＺ硅单晶中的氧施主进行了探讨，测试样品是６５０℃下处理的含氮ＣＺ硅单晶在７００℃的温度下继续热处理。通过变温霍尔测试发现，材料中除了......
本文针对P型掺硼硅单晶电阻率超合同范围问题,分析并确定了电阻率超的原因是氧施主的补偿,分析了氧施主的来源及消除机理,提出了几......
