晶体管芯片相关论文
本文通过试验，确定了晶体管芯片制造过程中的磷吸杂工艺，方块电阻要求为６～８Ω／□（欧姆／方块）的工艺条件，并对有关的影响因素进行了分析，提出了......
美国国际商用机器公司（IBM）和德国内存制造商英飞凌公司宣布，他们将和中国台湾的旺宏公司合作，开发下一代存储技术——相变存储，着眼于......
中小功率晶体管芯片制造完成后,要封装成成品就必须制备集电极,而制备集电极则必须解决金属与半导体接触的问题。在一般情况下,金......
