施主杂质态相关论文
我们用变分方法研究了外电场下量子阱中的杂质态结合能,计算中既考虑了电子同体纵光学声子和界面光学声子的相互作用又考虑了杂质......
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在０．３－４．２Ｋ温度范围，测量了ｎ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．１９５）在磁量子极限后的横向磁阻，纵向磁阻和霍尔系数，观察到了磁致金属－绝缘体相变和相变发生前的霍尔系数下凹“Ｈｑａｌｌｄｉｐ”。基于......
半导体量子阱的杂质离子可以位于量子阱的中心或偏离中心一定的距离d.本文用打靶法求解薛定谔方程,研究施主杂质的能谱随d的变化,......
