恒流应力相关论文
用陷阱俘获模型和恒流方法研究了新生界面陷阱对薄氧化层MOS电容器的F-M(Fow-ler-Nordheim)电压(V_(FN))的影响,得到了电压漂移量......
该文提出了一种实验方法，用于测量电应力作用下栅介质膜的电荷陷落过程中的几个物理量，如陷阱电荷密度、电荷中心位置、注入介质膜的......
在电容测量的基础上研究了薄隧道氧化层在恒定Fowler-Nordheim(F-N)隧穿电流下的退化情况.这种退化是恒流应力和时间的函数,对恒流......
提出了一种测量陷阱电荷密度的实验方法 ,该方法根据电荷陷落的动态平衡方程 ,利用恒流应力前后MOS电容高频C V曲线结合恒流应力下......
