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该文提出了一种实验方法，用于测量电应力作用下栅介质膜的电荷陷落过程中的几个物理量，如陷阱电荷密度、电荷中心位置、注入介质膜的电子产生陷阱的几率及介质膜内原有陷阱密度等。这种方法是：根据电荷陷落的动态平衡方程，通过测量恒流应力下ＭＯＳ电容的栅电压变化曲线及加恒流应力前后的高频Ｃ－Ｖ曲线，求出所需的物理量，实验结果表明这种方法是可行的。