平面掺杂相关论文
本文着重探讨了单δ平面掺杂AlGaAs/GaInAs/GaAs PHEMT材料的生长工艺及工艺优化....
本文主要介绍普遍应用于微波测量系统的峰值功率分析仪探头的关键部件驶低势垒（LBS）二极管组件的工作原理，并详细描述新型器件一平面......
介绍制备超晶格结构材料的ＭＢＥ技术，以及材料性能和器件应用情况；从微结构设计出发，比较深入地研究了平面掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ（Ｇａ）Ａｓ超晶格结构二维电子气有关性......
研制了A10.24Ga0.76As／In0.22Ga0.78As单平面掺杂PHEMT器件(SH-PHEMT)和双平面掺杂PHEMT器件(DH-PHEMT)，并对其特性进行了比较．由于采......
评术字制备纳米级掺杂结超晶格材料的ＭＢＥ技术，给出了材料性能和器件研制结果，从微结构设计出发，研究了平面掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ（Ｇａ）Ａｓ超晶格结构二维电子气有关......
利用二次离子质谱系统地研究了生长温度，Ａｌ组分Ｘ值和Ａｓ４夺强对Ｓｉδ掺杂ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ的ＳＩＭＳ深度剖面，Ｓｉ原子表面分凝和向衬底扩散的影响。实验发现，在外延生长Ｓｉδ掺......
近来发表的AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMT,跨导大于500ms/mm,f_1～100GHz。获得如此优异微波性能的主要措施是:(1)沟道采用了应变层量子阱......
本文对场效应管所用材料的隔离层，δ调制掺杂层，势垒耗尽层等材料结构尺寸，异质结界面的二维电子气浓度，场效应管的夹断电压、沟道电流......
研制了 Al0 .2 4 Ga0 .76 As/ In0 .2 2 Ga0 .78As单平面掺杂 PHEMT器件 (SH - PHEMT)和双平面掺杂 PHEMT器件(DH- PHEMT) ,并对其......
