采用分子束外延工艺方法生长的InAs/GaSb二类超晶格材料因其独特的能带断带结构,极大地降低了俄歇复合暗电流,且其较大的电子有效......

报道了使用分子束外延（Molecular beam epitaxy，MBE）技术，在（211）B碲镉汞（CdZnTe，CZT）衬底上生长中长波双色碲镉汞（HgCdTe，MCT）薄膜材料，生长温......