p型氧化锌薄膜相关论文
采用金属有机化学气相沉积技术在半绝缘InP衬底上制备了ZnO薄膜。在富氧及高温的生长条件下,衬底中的P原子通过热扩散进入ZnO薄膜......
目前,ZnO基光电器件中一个难题是优质稳定的p型ZnO材料制备。由于锌填隙与氧空位,未掺杂的ZnO为n型半导体,自补偿效应对p型ZnO制备......
作为一种新型的宽禁带化合物半导体材料,氧化锌(ZnO)在短波长光电器件领域具有巨大的应用潜力。ZnO具有直接带隙能带结构,室温禁带......
ZnO是一种非常重要的宽禁带(禁带宽度为3.37eV)半导体材料,其室温激子结合能高达60meV,在下一代蓝紫光发光二极管、激光器等短波长光......
ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有直接宽带隙(室温下3.37eV),属于六方纤锌矿结构。ZnO在光电、压电、热电、铁电以及光电器......