横向MOS(Metal Oxide Semiconductor)器件是集成电路中的主要功率器件。横向MOS器件按照沟道掺杂类型又可分为nLDMOS(n-channel La......

为了进一步提高GaN HEMT器件的击穿电压,并保持低的导通电阻,文中提出了一种具有N型GaN埋层的AlGaN/GaN HEMT。该埋层通过调整器件......

提出了具有n埋层PSOI（部分SOI）结构的射频功率LDMOS器件.射频功率LDMOS的寄生电容直接影响器件的输出特性.具有n埋层结构的PSOI射频L......

提出了一种带n型浮空埋层的超低比导通电阻的变k槽型LDMOS（TLDMOS）。新结构在漂移区内引入变介电常数（VK）的深槽结构和自驱动的U型p区,......

为了自主的研制和开发在雷达、通信和导航等应用领域需求的元器件,特别是大功率的固态功放器件,对射频功率LDMOS器件进行研制与开......