n-砷化镓相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

n-砷化镓相关论文

ITO/金属和ITO/n-GaAs接触电阻的研究

采用电子束蒸发技术在SiO2,半绝缘Si,n型GaAs衬底上沉积氧化铟锡薄膜,包含5％组分的SnO2和95％的In2O3.测试薄膜基本电学、光学性能,并......

会议

氧化铟锡金属镍 n-砷化镓接触电阻率圆点型传输线模型

利用快速热退火在n—GaAs上形成Ge／PdGe欧姆接触

利用Ｇｅ／Ｐｄ／ＧａＡｓ结构和快速热退火工艺在ｎ－ＧａＡｓ上形成低阻的欧姆接触，研究了比接触电阻率与退火的温度和时间关系，４００－５００℃之间退火的欧姆接触的比接触电阻率......

期刊

n-砷化镓热退火 Ge/PdGe 欧姆接触半导体器件

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