ZnSe单晶相关论文
用改进的化学气相输运技术(CVT),以Zn(NH4)3Cl5为新的气相输运剂,直接从单质Zn和Se一步在封密管中生长了ZnSe单晶,升华温度1001～102......
本文采用化学气相输运（CVT）法,由Zn（5N）和Se（5N）一步直接生长了片状ZnSe单晶,并对其结构特性和光电性能进行分析。研究表明,生长出的ZnSe......
为了获得高质量的ZnSe单晶气相生长输运剂Zn（NH4）2Cl4,采用3种工艺因素和4个水平的16组正交试验设计方法对Zn（NH4）2Cl4输运剂的工艺过......
采用化学气相输运法（CVT）在适合的温度和I2含量的条件下，生长出了φ25mm×3mm的ZnSe单晶，位错密度为6．5×10^3个／cm^2。对ZnSe单......
采用物理气相输运法对ZnSe(4N)多晶原料在850℃±10℃进行提纯,再用高压坩埚下降法在1530℃、氩气保护气氛下生长出高质量ZnSe......
本文直接以高纯Zn、Se单质为原料，加入少量碘单质作为反应输运剂，用化学气相输运（CVT）的方法一步成功的生长出了ZnSe单晶。采用XRD、ED......
ZnSe是一种优秀的红外窗口材料,得到广泛的关注。在本文叙述了ZnSe红外窗口材料的光学特性和力学特性,以及详细地描述ZnSe体单晶熔......
