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本文直接以高纯Zn、Se单质为原料，加入少量碘单质作为反应输运剂，用化学气相输运（CVT）的方法一步成功的生长出了ZnSe单晶。采用XRD、EDS、紫外可见分光光度计和光致发光（PL）技术研究了生长的ZnSe晶体的结构、成份以及光学特性。结果表明，生长的ZnSe单晶具有较好结晶性能，成份接近理想的化学计量比，在500—2000nm范围内透过率达到65％～70％，在1．9—2．5eV范围内存在与Zn空位和杂质能级相关的发光带。由Zn和Se单质在输运剂I2的辅助下一步直接生长ZnSe单晶是可行的。