研究了生长在弛豫Si0.79Ge0.21/梯度Si1-xGex/Si虚拟衬底上的应变硅材料的制备和表征,这一结构是由减压外延气相沉积系统制作的.根......

The analysis of threading dislocation density (TDD) in Ge-on-Si layer is critical for developing lasers,light emitting d......

该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......

利用RPCVD系统，在150mm（100）硅片衬底上了制备出高质量锗硅合金薄膜，研究了温度和锗烷流量对薄膜生长速率与合金中锗浓度的影响，并对薄......

研究了生长在弛豫Si0.79Ge0.21/梯度Si1-xGex/Si虚拟衬底上的应变硅材料的制备和表征，这一结构是由减压外延气相沉积系统制作的.根......

随着器件特征尺寸的不断减小并接近其物理极限,集成电路的发展将面临严峻的考验。研究表明,在硅晶格中引入应变可以提高载流子的迁......

By using reduced pressure chemical vapor deposition (RPCVD), the high strained, Ge-graded SiGe film growth has been real......