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We report one thick layerof hard-baked photoresist mask.The laser array stripe pattern was defined by standard wet litho......
用过氧化氢氧化烯烃得到顺式邻环己二醇,继而和对甲苯磺酰氯反应得到两种1-取代-顺式-1,2-环己二醇单磺酸酯.以溴酚兰作指示剂,用......
综述了用于化学增幅型光致抗蚀剂的光产酸剂及机理，对于几种常用的离子型和非离子型光产酸剂分别进行了阐述，并对其特性和应用做了简......
The matrix polymer PTBCHNB bearing o-nitrobenzyl group was successfully synthesized by copolymerization of tertiary-buty......
通过环氧氯丙烷和1,2,4-偏苯三甲酸酐合成高支化碱溶性聚酯,再与甲基丙烯酸缩水甘油酯反应得到高支化碱溶性丙烯酸化聚酯;研究了树......
本文介绍紫外光/臭氧干法去除光刻胶的工作机理及实验装置;列出这种方法去除三种不同型号的国产负性光刻胶的去胶速率及利用俄歇光......
本文讨论影响紫外光/臭氧干法去除光刻胶速率的几个因素、提高去胶速率的途径。在此基础上,介绍一种新型的实验装置以及应用该装置......
以1,2,4-苯三甲酸酐、环氧氯丙烷和光敏剂1173合成了分子内带有光敏单元的高支化碱溶性聚酯,聚合反应转化率在1 h内可达90%以上;以......
COPOLYMERS OF CHLOROETHYL METHACRYLATE, GLYCIDYL METHACRYLATE, AND METHYL METHACRYLATE AS SYNCHROTRO
The copolymers of chloroethyl methacrylate (CMA), glycidyl methacry-late (GMA), and methyl methacrylate (MMA) were synth......
用改进后的新法合成了两种新型的聚酯型光致抗蚀剂——聚5-苯基戊二烯叉丙二酸乙二酯和聚吠喃丙烯叉丙二酸乙二酯。合成方法简单,......
光敏聚酰亚胺广泛用于微电子领域的绝缘层和保护层。采用非光敏聚酰亚胺时光刻工艺相当复杂，而使用光敏聚酰亚时图形加工工艺得到简......
概述了光致抗蚀剂在微电子工业中的作用,着重介绍了聚硅烷光致抗蚀剂的特点,以及聚硅烷紫外、深紫外、X射线、电子未等抗蚀剂的发......
