P型硅相关论文
该文建立P型半导体上激光诱导电沉积金属的界面模型。在两个假设基础上导出了光电流与电子动力学特性，外加偏压，及激光强度的关系式......
随着人类对能源的需求与日俱增,开发可再生清洁能源变得十分必要。因此,将太阳能转换为电能的太阳电池器件越来越受到人们的关注,......
该文建立Ｐ型半导体上激光诱导电沉积金属的界面模型。在两个假设基础上导出了光电流与电子动力学特性，外加偏压，及激光强度的关系式并......
采用控电位沉积方式在ｐ型Ｓｉ上制备了Ｎｉ－Ｐｄ合金薄膜，考察了合金的阴极沉积阳极溶出行为；研究了极化方式对膜组成、厚度、结构及形貌的影响，结果......
利用DLTS技术详细研究了经钴溅射并在不同温度下的RTA在n型和p型硅里引进的深能级。结果表明在n型硅里有五个深能级生成,这些能级......
文章介绍了动态反射式椭圆偏振光谱技术的原理,采用椭圆偏振光谱技术测量得到P型Si(111)晶片,利用直流溅射制备的不同厚度Cu膜样品......
应用透表法研究硅化钯-P型硅肖特基势垒二极管（SBD）比应用EBIC法研究它的p-n结特性，尤其结深时更有明显优势：样品不需要特殊制作；无损检......
在自制的三极电解槽中，采用浓度不同的氢氟酸（HF）电解液在一定掺杂浓度的P型硅基上，研究了大孔深通道阵列的形成过程。通过一系列实验......
采用控电位沉积方式在ｐ－Ｓｉ上制备了Ｎｉ－Ｐｄ合金薄膜，考察了阴极沉积行为，研究了电沉积条件对膜组成的影响，并探讨了膜组成与结构的关系，ＸＲＤ测试表明Ｎｉ－Ｐｄ合......
利用激光诱导电沉积实验控制和数据采集系统考察了Ｎｉ在ｐ－Ｓｉ上沉积和阳极溶出过程。结果表明半导体表面自然氧化膜和阳极钝化膜导致阴极反......
利用化学置换法在ｐ型Ｓｉ（１１１）表面制轩了米微晶Ｐｄ，对其析氢反应催化活性进行了考察，采用阳极溶出法对沉积层进行了研究，并借助于Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）对表面......
对10.16 cm（4英寸）三层复合结构P型硅外延片的制备工艺进行了研究。利用PE-2061S型桶式外延炉,在重掺硼的硅衬底上采用化学气相沉积......
