镍钼修饰的p型硅电极材料的制备和性能

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【摘要】

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在半导体p型Si上恒电流沉积纳米晶和非晶Ni-Mo合金薄膜.制备出Ni-Mo合金修饰的半导体p型Si电极镀层,用SEM对膜层进行了表征.测量了两种电极镀层的阴极催化析氢曲线.纳米晶Ni-

【作者】

：

姚素薇赵转清张卫国龚正烈

【机构】

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天津大学,天津理工学院

【出处】

：

材料研究学报

【发表日期】

：

2002年1期

【关键词】

：

镍钼修饰 p型硅电级材料制备催化析氢光照半导体材料氢气制备光解 Ni-Mo/p-Si nanocrystalline catalytic

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在半导体p型Si上恒电流沉积纳米晶和非晶Ni-Mo合金薄膜.制备出Ni-Mo合金修饰的半导体p型Si电极镀层,用SEM对膜层进行了表征.测量了两种电极镀层的阴极催化析氢曲线.纳米晶Ni-Mo/p-Si镀层的催化析氢性能较好测量了光照下纳米晶Ni-Mo/p-Si电极的催化析氢曲线.结果表明.Ni-Mo颗粒尺寸在40～100mm时.光照下电极的析氢过电位比无光照减小了约160mV(电流密度为8 mA.cm-2),催化析氢活性显著提高

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