M面相关论文
传统的C面GaN等Ⅲ族氮化物半导体材料由于内部极化电场的存在限制了器件量子效率的提高.M面GaN等Ⅲ族氮化物半导体材料由于具有非......
用MOCVD方法在(100)LiAlO2衬底上研制出m面的非极性GaN薄膜材料.研究了不同生长条件对材料特性的影响.通过优化生长,获得了非极化m......
对车床床身淬火后产生的扭曲变形现象进行分析,针对现行加工工艺的特点,改进了加工工艺技术.改进后的工艺,夹紧、找正更方便,更快......
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本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在MgO(100)衬底上成功生长了非极性的m面(1010)ZnMgO薄膜。研究了衬底温度对ZnMgO薄膜生长......
AlN晶体在c轴方向具有很强的自发和压电极化效应,影响了其器件的性能。生长高质量的非极性面AlN晶体材料是解决该问题的有效途径。......
