AlN晶体相关论文
作为第三代半导体材料,氮化铝（AlN）和六方氮化硼（hBN）在光电子和微电子领域具有极大的应用前景。但是由于其独特的物理化学性质,大尺寸......
AlN原料的纯度与粒径尺寸是提高AlN晶体的生长速率和晶体质量的重要因 素[1].本研究先后进行了高温烧结以提纯原料，以及通过研磨来......
在碳化硅(SiC)衬底上通过物理气相传输(PVT)法制备出氮化铝晶体。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微(SEM)和能量色散光谱(EDS)等手......
在耦合传热和物质传输两种机制的基础上建立了物理气相传输法AlN晶体生长速率模型。当生长压力为30,60,90 kPa时,生长速率模型计算......
AlN的禁带宽度可达6.2 eV,并具有直接带隙,是重要的蓝光和紫外发光材料;同时AlN具有热导率高,熔点高,电阻率高,击穿场强大,介电系......
研究了物理气相法制备AlN晶体的过程中生长条件的改变对晶体生长的影响.实验中,采用带石墨环的坩埚组件可以避免高温下钨坩埚体和......
本文采用物理气相传输法对不同衬底温度和温差下制备的氮化铝(AlN)晶体形貌进行研究,研究结果表明AlN晶体生长受到AlN晶面表面能、......
通过热力学理论对物理气相传输(PVT)法AlN晶体生长过饱和度进行分析,分别从软件模拟和晶体生长实验对衬底表面的温度分布进行调控,......
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AlN是一种直接带隙宽禁带半导体,禁带宽度为6.02 e V,是制作深紫外光电器件的理想材料。此外AlN与Ga N具有十分相近的晶格常数和几......
PVT法应用于宽禁带半导体材料SiC、AlN等晶体的生长[1]。本文设计了一种新型的PVT加热体,通过优化几何机构从而调节温场,结合VR Al......
AlN晶体在c轴方向具有很强的自发和压电极化效应,影响了其器件的性能。生长高质量的非极性面AlN晶体材料是解决该问题的有效途径。......
通过物理气相传输（PVT）法在石墨系统中制备了绿色、无色和琥珀色氮化铝（AlN）单晶,在金属系统中制备了琥珀色AlN单晶。晶体中杂质含量测......
采用金属系统物理气相传输(PVT)法自发成核方式,生长获得长宽均大于1 cm、厚度为毫米量级的m面AlN单晶块体。通过对不同m面AlN单晶......
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