采用射频磁控溅射复合靶技术制备了Ge-SiO2薄膜. 薄膜在N2的保护下进行了不同温度的退火处理. 根据X射线衍射(XRD)谱估算了Ge纳米......

采用射频磁控溅射技术制备了Ge-SiO2薄膜,在N2气氛下进行300℃到1000℃的退火处理30分钟,对样品进行XPS分析,研究了在不同退火温度......

采用射频磁控溅射技术制备了Ge-SiO2薄膜,在N2气氛下进行了不同温度的退火处理,分析了样品在室温下的光致发光(PL)特性.为探讨其发......

采用射频磁控溅射技术制备了Ge掺二氧化硅（Ge—SiO2）和Ge，Al共掺二氧化硅（Ge／Al—SiO2）两种复合薄膜，并进行了热退火处理形成了纳米Ge镶嵌......

用射频共溅射技术和后退火的方法，制备出埋入SiO2基质中的Ge纳米晶复合膜(nc-Ge／SiO2)。通过拉曼散射、光致发光和透射电子显微镜等......

光电子信息材料是本世纪最受关注的材料之一，光电子集成器件在信息时代有极其重要的作用。由于硅的平面集成工艺已相当成熟，所以从工......

用射频磁控溅射制备了Ge-SiO2薄膜.在N2的保护下对薄膜进行了不同温度的退火处理.使用傅里叶变换红外光谱分析(FTIR)技术,X射线衍......