CdZnse相关论文
ＺｎＳｅ－ＣｄＺｎＳｅ多量子阱Ｆ－Ｐ腔光双稳器件的室温皮秒反射式激子光双稳栗红玉，申德振，张吉英，范希武，杨宝均（中国科学院激发态物理开放研究实验室，长春１３００２１）（中国科......
本文采用电化学选择性腐蚀工艺对ＧａＡｓ衬底蚀孔，在其上获得了大面积具有光滑表面的Ⅱ－Ⅵ族半导体多量子阱外延膜．通过在其表面蒸镀反射膜，制......
本文采用电化学选择性腐蚀工艺对ＧａＡｓ衬底蚀孔，在其上获得了大面积具有光滑表面的Ⅱ－Ⅵ族半导体多量子阱外延膜．通过在其表面蒸镀反射膜，制......
为了制备水溶性的CdZnSe合金量子点,采用一步水相法制备CdZnSe量子点,并详细研究了反应时间、nZn/nCd、nZn＋Cd/nSe和前驱体的pH值等......
介绍了CdxZn1-xSe量子点的制备方法、形貌、组成以及表征,并对其非线性光学进行了研究。结果表明,CdxZn1-xSe量子点呈现自散焦特性......
以六水合硝酸镉为镉源,硝酸锌为锌源,通过硼氢化钠还原硒单质制得NaHSe,并作为硒源,通过胶体化学法制备了一系列具有不同组分的水......
ＺｎＳｅ－ＣｄＺｎＳｅ多量子阱Ｆ－Ｐ腔光双稳器件的室温皮秒反射式激子光双稳栗红玉，申德振，张吉英，范希武，杨宝均（中国科学院激发态物理开放研究实验室，长春１３００２１）（中国科......
宽禁带Ⅱ—Ⅵ族半导体具有较大的激子束缚能,是短波长光电器件的重要候选材料。其中,CdZnSe和CdZnTe系列合金材料的发光覆盖了整个......
II-VI 族半导体具有大的禁带宽度、较大的激子束缚能和强的室温激子效应,一向被认为是制备室温激子非线性器件和短波长发光器件的......
