采用电子回旋共振化学气相沉积(ECR-CVD))方法在基片Si(100)上镀制了厚度为80m的氮碳膜(CNx膜),并研究了CNx膜的机械特性、摩擦特......

对磁控溅射沉积得到的CNx膜在不同温度下进行真空退火，退火前后CNx膜的化学键合采用X射线光电子能谱表征．结果发现，沉积的CNx膜中氮原......

以氮气为反应气体，用真空阴极电弧沉积法制备了CNx膜，对工艺参数对膜层的沉积速率，化学成份的影响及膜结合状态进行了研究，结果表明，沉......

沉积在Ｓｉ（１００）基片上的ＣＮｘ膜是用微波等离子体化学气相沉积法（ＭＷＰＣＶＤ）制备的，本文着重探讨了ＣＨ４，Ｎ２的流量比对ＣＮｘ膜的Ｒａｍａｎ谱的影响，并采用Ｘ－射线光电子能谱（ＸＰＳ）方法分析了ＣＮｘ膜......

以氮气为反应气体 ,用真空阴极电弧沉积法沉积了CNx膜 ,并利用金相显微镜、Auger电子谱仪、FTIR及XRD对其进了分析。结果表明 :真......