钛酸锶钡薄膜C-V曲线不对称现象研究

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【摘要】

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采用射频(RF)磁控溅射在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了Ba0 6Sr0.4TiO3(BST)薄膜.通过研究BST薄膜的电容-偏压(C-V)特性曲线发现,溅射过程中的离子注入引起底电极/铁电薄膜

【作者】

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胡立业杨传仁符春林陈宏伟

【机构】

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电子科技大学

【出处】

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功能材料

【发表日期】

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2005年11期

【关键词】

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钛酸锶钡薄膜 C-V曲线不对称界面 barium strontium titanate thin film C-V curve asymmetry

【基金项目】

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科技部科研项目

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采用射频(RF)磁控溅射在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了Ba0 6Sr0.4TiO3(BST)薄膜.通过研究BST薄膜的电容-偏压(C-V)特性曲线发现,溅射过程中的离子注入引起底电极/铁电薄膜界面处产生了过渡层,从而导致C-V曲线不对称.最后我们通过改进溅射工艺对这一机理进行了实验验证.

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