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采用分子束外延(MBE)方法,并结合原位退火生长技术在Si(001)基片上制备了Tm2O3 薄膜,XRD 测量结果表明所制备的样品为单晶Tm2O3.在......
随着特征尺寸不断缩小,CMOS器件已步入纳米尺度范围,因此纳米尺度器件的结构表征变得尤为关键。完备的半导体器件结构分析,要求确......
提高栅介质的界面质量和可靠性一直是功率碳化硅金属氧化物半导体(MOS)器件研发的核心任务之一.基于原子层沉积(ALD)技术,在n型4H-......
随着大规模集成电路VLSI(Very Large Scale Integrated circuits)技术的迅猛发展，半导体器件的特征尺寸遵循着摩尔定律不断地减小，在......
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采用分子束外延方法结合原位退火生长技术在Si（001）衬底上制备了Tm2O3薄膜,XRD测量结果表明所制备样品为单晶Tm2O3.在低温环境下,采......
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