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F—N隧穿特性相关论文
单晶Tm2O3薄膜的制备与F—N隧穿机制
采用分子束外延方法结合原位退火生长技术在Si(001)衬底上制备了Tm2O3薄膜,XRD测量结果表明所制备样品为单晶Tm2O3.在低温环境下,采......
期刊
分子束外延
单晶Tm2O3
F—N隧穿特性
高K栅介质材料
MBE single crystalline Tm2O3 F-N tunneling high-K
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