高速沉积相关论文
采用拉曼光谱、椭圆偏振光谱和原子力显微镜分析了甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)微晶硅(μc-si：H)薄膜的初期生长特性......
与低速沉积的微晶硅薄膜相比，高速沉积的微晶硅薄膜具有非晶孵化层厚、纵向结构均匀性差等特点,导致电池的填充因子和短路电流密度......
实现高速沉积对于薄膜微晶硅太阳电池产业化降低成本是一个重要手段.本文采用超高频等离子体增强化学气相沉积技术,实现了微晶硅薄......
采用SR500 光谱光度计对VHF-PECVD沉积本征微晶硅薄膜时硅烷不同馈入方式进行了在线监测,并制备了单结微晶硅薄膜太阳能电池.研究......
采用PR650光谱光度计对高速沉积微晶硅薄膜的生长过程进行了在线监测研究,并对所对应的材料进行了Raman谱和红外吸收谱(FTIR)的测......
采用高压高功率(hphP)甚高频等离子体强强化学气相沉积(VHF-PECVD)法对微晶硅(μc-Si:H)进行高速沉积,在最优沉积条件参数下对hphP......
为提高微晶硅薄膜的纵向结晶性能,在甚高频等离子体增强化学气相沉积技术的基础上,采用过渡参数缓变和两步法相结合的方法在普通玻......
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术高速沉积了有无籽晶层两个系列微晶硅薄膜.通过椭圆偏振光谱、拉曼光谱和XRD对薄膜进行了......
本文采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）技术高速沉积优质微晶硅(μc-Si:H)薄膜。在等离子区屏蔽条件下，研究了沉积气压、射......
氨基磺酸盐电镀镍由于具有高速沉积、内应力低的特点,在电子电镀中应用广泛,本文研究了氨基磺酸盐电镀镍工艺,同时介绍其电镀的工......
本文介绍了在RF-PECVD系统上采用调节气体辉光功率和反应压力方法沉积出4A/S以上,光敏性(σ/σ大于10的a-Si:H材料,并在此基础上得......
在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火10min.退火温度为500℃时,薄膜表面形成了硅铝的混合相;退温度为5......
利用自主研制的等离子体辅助反应蒸镀法(PERE)实现了AlN薄膜的高速沉积。工艺研究表明,薄膜最佳沉积工艺参数为工作压强1.2Pa、轰......
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要提高非晶硅太阳电池的普及率,我们必须降低非晶硅太阳电池的生产成本,提高非晶硅太阳电池的稳定效率,基于这两个目的,作者开展了......
该论文采用VHF-PECVD技术,对氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜的低温、高速沉积进行了实验研究,并基于对不同沉积条件下的硅烷等离子体的......
单室和高速沉积是降低硅基薄膜太阳电池成本的有效方法，也是加快其产业化进程中必须攻克的难题之一。本文采用高频高压高功率的技术......
对于微晶硅薄膜电池，提高沉积速率是一种降低生产成本的有效方法，然而这会引起薄膜材料质量的下降，导致所制备电池的转换效率降低。本......
高速、高效单结微晶硅薄膜太阳电池的研究是硅基薄膜太阳电池产业化的关键技术之一。本论文围绕着上述目标，采用甚高频、高压、高功......
本文以微晶硅薄膜的沉积速率为重点，以优化沉积条件、提高微晶硅薄膜的沉积速率为目标，通过射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)和甚......
为了实现低成本微晶硅薄膜的高速沉积,需要尽可能的优化工艺参数,特别是提高功率利用效率对于降低生产成本,以及提高工艺稳定性都......
利用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)制备了一系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜。研究分析了功率密度、硅烷浓度和气体流量在较......
采用光发射谱(OES)技术对氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)生长过程进行了原位监测,并对不......
采用超高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术研究微晶硅(μc-Si)薄膜的高速沉积过程发现:分别采用100和500 sccm流量制备......
采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,以不同的反应气体总流量制备出沉积速率大于1nm/s、次带吸收系......
利用13.56MHz射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,高速沉积器件级质量的微晶硅(μc-Si:H)薄膜,研究了沉积压力、射频功率......
利用13.56MHz射频等离子体增强化学气相沉积技术高速沉积非晶/微晶过渡区的微晶硅(μc-Si:H)薄膜.研究了沉积压力、射频功率、电极......
本文采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）技术高速沉积微晶硅薄膜。系统研究了射频功率、气体总流量、沉积气压、硅烷浓度等......
采用激光化学气相沉积法在Al2O3基底上以49μm·h-1的沉积速率高速制备了c-轴取向的YBa2Cu3O 7-δ薄膜,其中,激光功率为133 W,......
作为沟槽式肖特基芯片的关键支撑层,硅外延层的性质对芯片性能构成重要影响。系统探索了新式高速外延生长工艺制备硅外延层的方法......
采用光发射谱(OES)技术对氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)生长过程进行了原位监测,并对不......
采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）技术，以不同的反应气体总流量制备出沉积速率大于1nm／s、次带吸收系数（α0......
采用超高频（VHF）结合高压（HP）的技术路线,在较高SiH4浓度（SC）下实现了微晶硅（μc-Si：H）薄膜的高速沉积,考察了衬底温度在化学气相沉积（CVD）过......
相对于单晶硅和非晶硅来说,微晶硅薄膜太阳电池具有更多的优势。高速沉积高效微晶硅太阳电池已经成为当前研究的热点。综合介绍了......
采用超高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）技术研究微晶硅（μc-Si）薄膜的高速沉积过程发现：分别采用100和500sccm流量制备本征μc......
通过射频等离子体增强化学气相沉积,在高气压条件下制备了微晶硅薄膜,并用拉曼光谱仪（Raman）、扫描电镜（SEM）研究了微晶硅薄膜的微观结......
实现高速沉积对于薄膜微晶硅太阳电池产业化降低成本是一个重要手段.采用超高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,实现了......
本文采用高压高功率的VHF-PECVD技术在沉积速率～1.2nm/s时沉积了一系列不同厚度的本征微晶硅薄膜。通过测试该系列材料的Raman谱,XR......
本文采用VHF-PECVD实现了高速沉积非晶硅电池,在保证材料质量的同时使得沉积速率达到10-20A/s。研究了气体滞留时间对于沉积速率的......
降低微晶硅太阳能电池的成本最直接有效的方法是提高沉积速率,这使微晶硅薄膜的高速沉积问题成为太阳能电池产业化进程中一个必须......
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