提出了一种新型双沟槽SOI-LIGBT结构.通过缩短高压互连线(HVI)下方沟槽的横向长度,增大了双沟槽总的反向耐压.在新型LIGBT漂移区中......

针对有限元法难以处理求解区域具有奇异边界的边值问题和计算量相对较大的不足，采用常单元离散形式的Galerkin边界元法处理简化的二......

对600V以上级具有高压互连线的多区双RESURF LDMOS击穿特性进行了实验研究,并对器件进行了二维、三维仿真分析.利用多区P-top降场......

设计并实现一种耦合式C型（coupled）高压电平位移结构，避免常用S型结构中LDMOS漏极高压互连线（HVI）跨过器件源侧及高压结终端时的两处高......

提出一种多等位环（multiple equipotential rings,MER）的高压屏蔽新结构MER-LDMOS,并解释了该结构的屏蔽机理,通过2D器件模拟验证了......

高压互连是功率集成电路中的重要技术,随着PIC在结构功能上的发展和应用范围上的增大,人们对功率集成电路中的高压互连技术的要求......