具有多等位环的高压屏蔽新结构MER-LDMOS耐压分析

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【摘要】

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提出一种多等位环（multiple equipotential rings,MER）的高压屏蔽新结构MER-LDMOS,并解释了该结构的屏蔽机理,通过2D器件模拟验证了屏蔽机理的正确性.讨论了p-top剂量、等位环

【作者】

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陈万军张波李肇基

【机构】

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电子科技大学IC设计中心

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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2006年7期

【关键词】

：

高压互连线等位环击穿电压 LDMOS high voltage interconnection equipotential rings breakdown

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提出一种多等位环（multiple equipotential rings,MER）的高压屏蔽新结构MER-LDMOS,并解释了该结构的屏蔽机理,通过2D器件模拟验证了屏蔽机理的正确性.讨论了p-top剂量、等位环长度、等位环间距以及氧化层厚度对MER-LDMOS击穿电压的影响.结果表明MER-LDMOS突破常规LDMOS高压屏蔽的能力,击穿电压较常规LDMOS提高一倍以上;同时,该结构具有工艺简单、工艺容差大、反向泄漏电流小等优点,为高压集成电路中高压屏蔽的问题提供了一种新的解决方案.

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