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报导了带有腔面非注入区的 80 8nmGaAs/AlGaAs激光二极管列阵的制作过程和测试结果。在器件前后腔面处引入 2 5μm非注入区 ,填充......
利用Ansys有限元分析软件模拟了宽条形激光器腔面在不同生热率条件下对有源区温度的影响,并对带有腔面非注入区的激光器结构进行了......
785nm半导体激光器在抽运碱金属蒸气激光器(DPAL)、高精度干涉测量技术等方面均有着重要应用,但针对785nm波段器件的研究较少。本......
报导了质子注入技术在提高980nm半导体激光器可靠性上的应用.p-GaAs材料经过质子注入后获得高的电阻率.在距离腔面25μm的区域内进......
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