非晶氧化物半导体相关论文
文章设计了非晶氧化物薄膜晶体管制备及电学性能综合性教学实验项目。实验教学实践表明，通过真空溅射镀膜、器件微加工及性能检测等......
有机-无机杂化钙钛矿作为一种新兴的可溶液法加工的光电材料,具有消光系数高、带隙合适、载流子寿命长和缺陷容忍度高等一系列优异......
本文主要研究了不同Si含量掺杂的Si Zn Sn O(SZTO)薄膜的制备与性能的研究、以及不同氩氧比条件下溅射所得SZTO薄膜的制备与其相关......
非晶氧化物半导体(AOS)由于迁移率高,可以在低温下制备等优点而受到研究者的广泛关注。采用AOS作为沟道层的薄膜晶体管(TFT)被认为......
采用脉冲激光沉积(PLD)法制备出一种新型的p型非晶氧化物-半导体非晶CuNiSnO(CNTO)。CNTO薄膜分别在室温(RT)与300℃的生长条件下......
非晶氧化物薄膜晶体管(Thin Film Transistors, TFTs)，特别是非晶铟镓锌氧薄膜晶体管(a-IGZO TFTs)被普遍认为可替代传统的非晶硅薄......
