SiZnSnO薄膜的制备与应用研究

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【摘要】

：

非晶氧化物半导体(AOS)由于迁移率高,可以在低温下制备等优点而受到研究者的广泛关注。采用AOS作为沟道层的薄膜晶体管(TFT)被认为是下一代大尺寸、高分辨率以及柔性平板显示的主流技术。目前AOS TFT主要是InGaZnO4为沟道层,虽然在日韩等企业中已经逐步实现了工业化,但是仍然面临着In元素成本高,TFT良率低的困扰。这样一个技术变革的时代对我国的平板显示工业是一个难得的机遇。因此,开展我国

【作者】

：

吴传佳

【机构】

：

浙江大学

【发表日期】

：

2014年01期

【关键词】

：

SiZnSnO 非晶氧化物半导体薄膜晶体管平板显示

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