雪崩倍增相关论文
研制高辐射能量、微型的太赫兹源一直以来都是太赫兹技术发展所面临的技术难题。现阶段产生太赫兹波的方式很多,使用半绝缘砷化镓......
围绕新一代遥感探测仪器应用需求,中国科学院上海技术物理研究所在短波红外InGaAs焦平面探测器领域取得了一系列进展.通过低缺陷外......
用光电导方法产生的太赫兹(THz)电磁波具有高频和超短脉冲(皮秒量级)特性,对 THz 时域光 谱测试技术及应用产生了深远影响.所谓光......
基于光子在雪崩光电器件内吸收位置的差异,提出过剩噪声因子在器件垂直方向的分布模型,并基于TCAD和Matlab仿真,验证了模型的有效......
针对超宽带通信技术迅速发展的需要,详细分析了利用双极性晶体管的雪崩特性产生超宽带极窄脉冲信号的原理并介绍了技术现状。本方......
Ⅲ-Ⅴ族半导体材料在电子与光电子器件领域具有广阔的应用前景，在国防、商业、科学等诸多领域发挥了重要作用。Ⅲ族氮化物无疑是其......
设计并制作一种基于2．5Gbit／s应用的分离吸收区和倍增区结构的InGaAs／InP雪崩光电二极管（avalanche photodiode，APD），该APD具有低击穿电压......
电子倍增型GaAs光阴极是利用雪崩倍增效应的一种新型光阴极组件,通过在常规GaAs光阴极中引入雪崩电子倍增层制备了GaAs光阴极/电子......
在飞秒激光激励下用GaAs光电导开关作为太赫兹（THz）辐射天线，已经广泛用于太赫兹时域光谱系统，但目前国际上都是使用GaAs光电导开关的......
超宽带（UWB）技术是以持续时间极短的脉冲作为传输载体进行数据通信的无线新技术。基于BJT雪崩特性，本文采用并行同时触发的工作方式，设......
本文以带有隧道穿透的PN结雪崩倍增理论,研究了微波固体噪声二极管。比较了纯PN结雪崩二极管和带有隧道穿透的PN结雪崩二极管的噪......
现代红外光电探测技术有着近八十年的历史.从二战期间第一个可实用PbS红外探测器到第三代红外光电探测器概念的提出,红外光电探测......
<正> 电荷耦合器件（CCD）基本性质的许多应用是探测最小电荷量。特殊电荷注入法和埋沟的采用、最佳时钟频率的选择、相关双取样的应用......
本文采取了一种生长高质量CH3NH3PbI3层的方法,设计并构建了Au/SiO2/CH3NH3PbI3/ZnO/In结构的器件。在正向电压下,载流子在SiO2中......
期刊
本文从物理概念出发，推导出载流子在集电结空间电街区发生碰撞电离时基极开路晶体管电流的表达式，并由此得到晶体管的雪崩击穿条件及......
针对超宽带通信技术迅速发展的需要,详细分析了利用双极性晶体管的雪崩特性产生超宽带极窄脉冲信号的原理并介绍了技术现状.本方案......
本文研究了R形转折特性的转折电压U_T和10mA时的击穿电压U_(10)与环境温度T_a的关系、击穿区的V—I特性、表面空间电荷区光电流与......
