随着微电子工艺技术的不断进步,基于LOCOS的隔离技术已经不适应深亚微米工艺的要求,浅沟槽隔离(STI)技术由于所具有的几乎为零的场......

分析了发光二极管阵列上隔离沟槽的理想尺寸.采用湿法腐蚀方法对金属层、p-GaP层及多层AlGaInP进行了逐层腐蚀,完成了宽2 μm深6 ......

根据AlGaInP外延片的结构特点设计了LED型微显示器件的主要结构。利用Markus-Christian Amann等人提出的模型对器件电流注入后的空......

随着氮化镓(GaN)基发光二极管(light-emitting diode,LED)的效率、亮度、寿命等参数的进一步提升和成本的持续下降,GaN基LED正在逐......

现代社会科技飞速发展，已经完全进入信息化时代。对于手机、电视、游戏机等高科技产品的分辨率要求越来越高。同时也对微小尺寸提出......

人们生活在一个丰富多彩的信息世界中,每时每刻都离不开信息的获取与交流。由于视觉信息丰富、准确、及时、可靠,自古以来就是人类......