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分析了发光二极管阵列上隔离沟槽的理想尺寸.采用湿法腐蚀方法对金属层、p-GaP层及多层AlGaInP进行了逐层腐蚀,完成了宽2 μm深6 μm的上隔离沟槽的制作.腐蚀后的上隔离沟槽边缘平整,其深度和宽度可以解决注入电流在相邻像素之间产生的干扰问题.
发光二极管阵列中上隔离沟槽的设计与制备
【摘 要】
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分析了发光二极管阵列上隔离沟槽的理想尺寸.采用湿法腐蚀方法对金属层、p-GaP层及多层AlGaInP进行了逐层腐蚀,完成了宽2 μm深6 μm的上隔离沟槽的制作.腐蚀后的上隔离沟槽
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
【出 处】
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微细加工技术
【发表日期】
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2005年4期
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