有机源载气对MOCVD生长InGaN薄膜的影响研究

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：aspbasicer

【摘要】

：

采用MOCVD技术以Al2O3为衬底在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜.以卢瑟福背散射/沟道技术和光致发光技术对InxGa1-xN/GaN/Al2O3样品进行了测试.获得了合金层的组分、厚度、结晶品

【作者】

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王立李述体彭学新熊传兵李鹏江凤益

【机构】

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南昌大学材料科学研究所

【出处】

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发光学报

【发表日期】

：

2001年3期

【关键词】

：

MOCVD 卢瑟福背散射/沟道技术光致发光 LnGaN薄膜铟镓氮化合物有机源载气薄膜生长 GAN 氮化镓半导体 MOCVD InGaN Ruther

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采用MOCVD技术以Al2O3为衬底在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜.以卢瑟福背散射/沟道技术和光致发光技术对InxGa1-xN/GaN/Al2O3样品进行了测试.获得了合金层的组分、厚度、结晶品质及发光性能等信息.研究表明:在以N2作主载气的情况下,有机源的载气对InxGa1-xN膜的In组分和生长速率影响很大.生长温度为760℃时,以70ml/min的N2作有机源载气得到的InxGa1-xN膜的In组分为0.10,生长速率为6.0nm/min;而以70rnl/min的H2作有机源载气得到的In

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