金属氧化物半导体场效应管相关论文
为了在减小P型多晶硅栅电极中硼穿通的影响，需要明确多晶硅栅电极中硼穿通与栅氧化层厚度之间的关系。提出了双栅PMOSFET模型，将P型......
对深亚微米的窄沟PMOSFET进行了负偏压温度不稳定性(NBTI)的试验研究。结果表明，NBT应力最终导致了跨导降低、输出特性曲线下降、关......
双脉冲测试是评估器件动态特性的重要手段。测试电路的寄生参数将对测试结果产生直接影响。基于双脉冲测试平台,研究并评估寄生电......
期刊
基于GaN材料的高电子迁移率晶体管以其较高的击穿电压、较高的电子迁移率和较大的禁带宽度正成为下一代电力电子功率开关器件的有......
快恢复超结VDMOS器件是一种新型的超结VDMOS器件，它具体有极短的反向恢复时间，是当前功率半导体器件的发展方向之一。将快恢复超结VD......
本文从金属氧化物半导体场效应管的特点、应用原理、日常维护等方面进行了阐述。
This article from the metal oxide semiconduc......
VMOSFET,全称为垂直导电型金属氧化物半导体场效应管,是一种广泛应用于开关电源、马达控制、开关型变换器和削波器等电路中的电子......
对MOSFET器件的随机电报信号噪声(RTS）的特征进行了研究。室温下在极细沟道样品中观测到了大幅度(大于60％）的RTS，通过测量RTS的俘获时......
期刊
目的 研究用金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)探测器测量光子线束放射治疗患者的照射剂量.方法 用6 MV X线束、固体模体,开展MOSF......
研究了金属氧化物半导体(MOS)器件在高、中、低三种栅压应力下的热载流子退化效应及其1/fγ噪声特性.基于Si/SiO2界面缺陷氧化层陷......
本文用特征函数将因氧化层和空间电荷区衔接条件得到的恒等式作正交展开，把未知量求解转化成一组线性代数方程，得到了二维电势解析表......
LDMOS是横向双扩散金属氧化物半导体场效应管LDMOSFET（lateral double—dif fused MOSFET）的简称。LDMOS制造工艺结合了硅双极晶体管......
对MOSFET器件的随机电报信号噪声(RTS）的特征进行了研究。室温下在极细沟道样品中观测到了大幅度(大于60％）的RTS，通过测量RTS的俘获时......
基于有限元方法对一款具有SiGe源/漏结构的纳米PMOSEFT进行了建模与分析,沟道应变的计算结果与CBED实验测量值呈现良好的一致性,最......
统一的1/f噪声模型,例如BSIM3模型,已经在噪声预测与分析中有着广泛的应用,在多数情况下有很好的效果.然而文献[1]中基于物理机理......
变频器逆变输出模块IGBT集双极型功率晶体管和功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）的优点于一体,具有电压控制、输入阻抗大、驱动......
针对新型结构的荫罩式等离子平板显示器(SM-PDP)提出了一种有效的能量复得维持驱动电路方案.从理论上详细分析了电路的工作原理,并......
Compact Model Council(CMC)已经选中两款下一代金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)模型进行标准化，以取代现有的行业标准BSIM3与BSI......
近期，由法国、英国、日本研究人员组成的国际研究团队开发出在硼掺杂金刚石MOSFET中引入深层耗尽区的新方法。这一全新概念的提出，使......
MOS是一种半导体电路的结构形式，它可用于：（1）采用氧化膜把栅极与沟道绝缘的场效应管；（2）极板；（3）有源区是金属一氧化物半导体的夹心层的电路......
介绍了一种主电路采用MOSFET和铁氧体磁芯构成单端正激的逆变式多功能焊机;设计了以PWM为核心的控制电路配以恒流内拐式外特性,从......
为评估器件结温对碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）开关瞬态过程的影响,以Cree第2代1 200 V/36 A SiC MOSFET为研究对象,......
研诺逻辑推出AAT1185，一款单输出、降压控制器，可提供用于低成本12V适配器的高效功率变换。通过采用研诺独创的ModularBCD工艺生产，该......
介绍了新颖的MOS器件结构及鳍状FET器件研究最新进展，比较了几种主要新颖半导体器件的特性，指出了MOSFET尺寸缩小所面临的巨大挑战及......
碳化硅(SiC)功率金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)以其优越的特性受到广泛关注,介绍了非箝位感性开关(UIS)测试原理,搭建雪崩耐量......
本文从金属氧化物半导体场效应管的特点、应用原理、日常维护等方面进行了阐述。...
由第三代宽禁带半导体碳化硅材料构成的碳化硅MOSFET与肖特基二极管由于其优良特性受到越来越多的关注,其中碳化硅肖特基二极管早......
为在短路发生时有效保护金属氧化物半导体场效应管（metal oxide semiconductor field effect transistor），在60V／10A固态功率控制器的......
增加一层多晶硅的自对准工艺已经被验证在0.5μm以上的逻辑工艺平台有效降低50%金属氧化物半导体场效应管的面积。然而随着栅极尺......
碳化硅金属氧化物半导体场效应管SiC MOSFET(silicon carbide metal oxide semiconductor field effect tra-nsistor)以其优异的材......
期刊
针对金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)在电磁脉冲作用下的热损伤问题,提出了一种新的热分析方法,通过仿真漏极注入阶跃脉冲下器件......
为了提高电磁超声换能器的换能效率,采用大功率高频激励源是一种有效的解决方法.针对提出的一种DE类射频功率变换器技术,建立了DE......
采用基于半导体漂移扩散模型的数值模拟软件对高功率微波(HPM)作用下金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的响应进行了数值模拟研究......
期刊
给出了一种基于半导体开关的脉冲功率源的设计原理和方法。与标准的Marx发生器相比,用金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)替代气体......
脉冲式激光雷达探测性能与激光光源发出的光脉冲密切相关,而激光二极管(LD)驱动电路性能直接决定了光脉冲的优劣。基于激光雷达系......
提出了一种新型栅耦合型静电泄放(ESD)保护器件——压焊块电容栅耦合型保护管.该结构不仅解决了原有栅耦合型结构对特定ESD冲击不......
期刊
目的:研究用金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)探测器测量光子线束放射治疗患者的治疗剂量。方法:用Varian 2300C/D型加速器6 MV X......
学位
＂MOSFET＂是英文Metal Oxide Semicoductor Field Effect Transistor的缩写,译成中文是＂金属氧化物半导体场效应管＂。它是由金属、氧化......
