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衰退与恢复特性相关论文
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的可靠性
利用正向肖特基结结电压与温度的线性关系,对AlGaN/GaN HEMT器件有源区瞬态温升进行了测量,其热阻为19.6℃/W。比较了不同测温方法......
期刊
AlGaN
衰退与恢复特性
瞬态温升测量
栅源
势垒层
有源区
击穿电压
测温方法
漏极
功率密度
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