禁带材料相关论文
GaN是一种新型宽禁带材料,具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高等特点。非常适合于制作高频、大功率器件。本文介绍了GaN材料......
本文采用适合宽禁带材料的ECV设备测量了自己在进口MOCVD设备上生产的GaN基外延片的载流子浓度纵向分布.在此基础上,通过引入主扩......
该论文利用光电子能谱和线性Muffin-Tin轨道(LMTO)方法对几种重要的II-VI族半导体的表面及其界面电子结构进行了较为深入的研究.作......