用MOCVD技术在高阻6H-SiC衬底上研制出了具有高迁移率GaN沟道层的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构材料,其室温和80K时......

本文介绍了GaAs,InP 和GaN三种不同衬底的高电子迁移率晶体管小信号模型,比较了三种不同衬底器件的物理结构.开路测试,短路测试,去......

用MOCVD技术在高阻6H-SiC衬底上研制出了具有高迁移率GaN沟道层的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构材料,其室温和80K时......

用金属有机物化学气相沉积技术(MOCVD)在半绝缘4H-和6H-SiC衬底上研制出了高性能的具有国内领先和国际先进水平的AlGaN/GaN高电子......

接收微弱射频信号需要研究低噪声放大器的设计,文中在分析传统低噪声放大器设计的基础上引入对放大器匹配电路品质因数,扩宽放大器......

设计了一个Ka频段低噪声放大器MMIC，该芯片采用两级放大的结构，通过调节有源器件几何尺寸（栅宽和叉指数）和源极串联负反馈，减小最佳噪声......

用MOCVD技术在高阻6H-SiC衬底上研制出了具有高迁移率GaN沟道层的AlGaN／AlN／GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）结构材料，其室温和80K时二维电......