硅锗相关论文
现代通信技术的迅速发展，使得传统Si双极型晶体管已经不能够满足市场的需求，亟需造价低而高频特性好的新型器件。SiGe异质结双极晶体......
以Si(100)2×1为基底,对不同入射角度、基底温度及入射能量时生长锗薄膜进行了分子动力学模拟。运用双体分布函数与原子直观构型及......
半导体制冷技术应用概况rn由于早期半导体技术的限制,能量转换的效率极低,半导体制冷技术没有得到实际的应用.直到20世纪50年代后......
对SiGe HBT的高频噪声进行了模拟。频率f、载流子正向延迟时间τF、集电极电流等因素都对高频噪声有影响。当频率高于高频转角频率......
IBM公司(位于纽约州的Yorktown Heights)决定为小型企事业组织,以及大学,提供以SiGe工艺制作的多芯片晶圆投片服务.SiGe具有比硅高......
首先描述先进的0.18μm SiGe-biCMOS生产流程(SiGe 120)并讨论在设计SiGe 90时如何对性能、成本和特性进行平衡以应对通信市场的需......
分析了不同温度下超薄基区SiGe HBT中载流子温度及扩散系数随基区结构参数的变化,并给出了实验比较.......
文章采用了化学气相沉积与阳极腐蚀结合的方法,成功制备了多层SiGe/Si异质纳米结构薄膜材料,并利用XRD、TEM和SEM等方法对其结构及......
对单台面SiGe HBT在E-B结反偏应力下直流特性的可靠性进行了研究.研究结果表明,随应力时间的增加,开启电压增加,直流电流增益下降,......
利用RPCVD系统，在150mm（100）硅片衬底上了制备出高质量锗硅合金薄膜，研究了温度和锗烷流量对薄膜生长速率与合金中锗浓度的影响，并对薄......
砷化镓(GaAs）、磷化铟(InP）、硅锗(SiGe）单晶性能优异。适用于高速、高频、高温和大功率电子器件，是制作高性能微波和毫米波器件及电路......
在分析载流子输运和分布的基础上,建立了SiGe异质结晶体管(HBT)各时间常数模型;在考虑发射结空间电荷区载流子分布和集电结势垒区......
详细讨论了SiGe HBT的直流交流特性、噪声特性,SiGe HBT的结构、制作工艺、与工艺相关的寄生效应、SOI衬底上的SiGe HBT等,以及它......
针对用传统的漂移扩散模型分析小尺寸SiGe HBT的局限性,采用新的能量传输模型.通过分析建立了小尺寸SiGe HBT(考虑Ge含量)的玻尔兹......
采用电沉积法,在[EMIm]Tf2 N离子液体中选取恒电位制备 SiGe 膜.为考察 SiGe 在工作电极表面的反应特性,在[EMIm]Tf2 N 离子液体中......
IDT公司推出低抖动硅锗（SiGe）声表面（SAW）压控振荡器（VCSO）产品系列。IDT的M675S02系列是针对低抖动和低相位噪声时钟生成的单频、单输出......
锂离子电池是一种广泛应用的二次电池。近年,电子消费产品和电动汽车的快速发展对其电池的能量密度和功率密度提出了越来越高的要......
随着无线通信和光纤通信技术的发展与融合,对组成通信系统的光电子器件性能和成本的要求日益提高。传统的Si材料器件以其成熟的工......
硅锗是一种很重要的半导体材料，具有很高的折射率，且其折射率可以通过改变其中锗的含量来调节。通过将硅锗填充至蛋白石结构的胶体晶......
在过去的几十年中,用于低功耗、高性能CMOS场效应晶体管栅介质SiO2的厚度持续减小,目前,对于纳米级CMOS器件已减小到只有几个原子......
本文基于漂移扩散模型，对硅基锗PIN红外探测器的电流特性随应变、Ge吸收层厚度、吸收层掺杂浓度的变化进行了数值模拟，并给出了一种......
力旺电子宣布,Neobit OTP嵌入式非挥发性内存硅智财（One-Time Programmable Embedded Non-Volatile Memory）之客户量产晶圆规模已突......
采用分子束外延法成功制备出非理想因子近似为1的台面型SiGe HBT,测量了正常尺寸和大尺寸两种晶体管的Gummel曲线和交流曲线,并测......
功率槽栅MOS (UMOSFET)是在VDMOS和VMOS基础上发展起来的一种功率半导体器件,由于功率UMOSFET可以从工艺技术上有效的降低器件的特......
锗,由于自身独特的基本物理化学性质,使得其在微电子和光电子领域内具有广泛而光明的应用前景。锗具有能够与现有硅CMOS集成电路制......
随着微电子技术的迅速发展，器件的尺寸越来越接近物理极限，为了延续摩尔定律，人们不断探索新工艺、新方法、新材料、新结构，其中FINFET......
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