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第二代半导体材料、器件及电路的发展趋势
第二代半导体材料、器件及电路的发展趋势
来源 :世界产品与技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:boyhill
【摘 要】
:
砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、硅锗(SiGe)单晶性能优异。适用于高速、高频、高温和大功率电子器件,是制作高性能微波和毫米波器件及电路的优良材料,广泛应用于相控阵雷达,电子对抗,卫
【作 者】
:
李和委
【机 构】
:
中国电子科技集团总公司第十三研究所
【出 处】
:
世界产品与技术
【发表日期】
:
2003年11期
【关键词】
:
InP单晶材料
SIGE
化合物半导体
砷化镓
磷化铟
硅锗
发展趋势
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砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、硅锗(SiGe)单晶性能优异。适用于高速、高频、高温和大功率电子器件,是制作高性能微波和毫米波器件及电路的优良材料,广泛应用于相控阵雷达,电子对抗,卫量通信、移动通信等领域,具有广阔的军民两用市场和发展前景,对发展微电子工业起着关键作用。
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