硅晶体管相关论文
在位于加州帕洛阿尔托的惠普实验室中，卡尔·陶西格(Carl Taussig)展开了一卷银色的塑料薄膜，上面布满了面积只有几平方厘米的小方格......
模拟控制高速微控制器DS87C550、可激励固态激光器的大功率激光二极管SLD320、固态功率放大器SPA-5964-200-26200、锗化硅晶体管HBT30、可编程四组装数字电位器芯片DS1844
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
针对数字电路的开发和应用,设计了一种薄基区晶体管,其横向结构采用单侧基极引出。 采用全离子注入,实现了基区宽度为80~100 nm的n......
硅晶体管在目前计算机的发展历程中扮演了最重要的角色,然而受其物理性质的限制硅基集成电路已经走到了一个瓶颈,它的集成度和运算......
IBM的研究人员已将1万个碳纳米管晶体管集成在硅片上。在硅晶体管正接近小型化的根本极限的时候，IBM的工作指向了一种可能的生产更......
近年来,有机薄膜晶体管(OTFT)技术发展颇为迅速,它与无机薄膜晶体管(ITFT)技术相比,具有如下两个显著的特点:一是制造温度低;二是......
美国Kovio公司取得了印刷纳米硅晶体管技术，比印刷聚合物晶体管尺寸更小、性能更好，并降低成本。这项完全的印刷硅晶体管技术能与印......
美国科学技术人员最近制造出电子迁移率比现有半导体材料高25％，比硅晶体管高70％的碳纳米晶体管，该碳纳米管成为新一代功能更强大、尺寸......
据报道，美国威斯康星大学麦迪逊分校材料学家成功研制的1英寸大小碳纳米晶体管，首次在性能上超越硅晶体管和砷化镓晶体管。这一突破......
据美国物理学家组织网今年2月2日（北京时间）报道,来自IBM、苏黎世理工学院和美国普渡大学的工程师近日表示,他们构建出了首个10纳米......
近年来,有机薄膜晶体管(OTFT)发展非常迅速,它与无机TFT相比有两个突出的优点:一是制作温度低,二是成本低.而且,还具有比硅晶体管......
<正>随着中美贸易战的升级,人们对芯片的关注与日俱增。小小的芯片到底承载了哪些故事?让我们一起走近美国两大芯片巨头的恩恩怨怨......
当二十一世纪的第一个年代已过去一半多一点的时候，也许这正是我们回顾数字信息产业演变的大好时机。曾经有过多少对新世纪热情的憧......
美国威斯康星大学（University of Wisconsin-Madison）的科学家最近宣布,他们成功开发出碳纳米晶体管,其性能大大超越现有的硅晶体管,......
美国威斯康星大学麦迪逊分校的研究人员成功制作出了1英寸碳纳米晶体管，在性能上首次超过了硅晶体管和砷化镓晶体管。......
作为目前主流的半导体材料,硅已经广泛应用于各种电子元件。但受限于硅的自身性质,传统半导体技术被认为已经趋近极限。相较之下,......
<正> 据报导,日本东芝公司采用离子注入技术制成一种超高频硅晶体管。其制造程序和工艺过程如下:1.在电阻率为0.005欧姆·厘米的 N......
几十年来,计算机芯片制造商一直致力于减小硅晶体管的尺寸以提高芯片的计算能力。目前,最小硅晶体管的宽度只有14nm,但是,晶体管小......
<正>美国在超导材料、碳纳米管、石墨烯等领域取得重大突破。超导材料方面:麻省理工学院的科学家发现,所有超导材料的超导性与薄膜......
针对目前使用较多的硅晶体管C类脉冲功率放大器,给出了一种多级级联、末级多路平衡并联的设计方案,对整体方案组成、各级放大增益......
<正> 半导体是物理学的新领域,它的发展仅仅是四十年代以后的事。本世纪初电工学上还只知道用导电性能较好的金属,例如铜、银、铝......
<正>5月4日,英特尔公司美国加州总部宣布在晶体管发展上取得了革命性的重大突破。晶体管是现代电子设备的微小的元件。自50多年前......
从９０纳米到６５纳米的演进中，作为半导体制造技术的先行者，英特尔在６５纳米大潮中再次遥遥领先。......
作者注：计算机的发明和进步，是20世纪的一件大事，也是人类文明进化史上的一件大事。科学技术发展对社会进步的积极作用，由此得到最有力......
物理学家威廉·肖特基(William Shockley)在他漫长的职业生涯中[1963年照片]有很多有趣的想法,但也许没有任何一个想法能超过在工......
