激子跃迁相关论文
采用斯塔克(Stark)光谱(电场调制反射光谱)技术研究了酞菁锡(SnPc)多晶薄膜中的激子跃迁和电荷转移。观察到一系列分子间电荷转移......
采用斯塔克光谱技术研究了酞菁锡多晶薄膜中的激子跃迁和电荷转移。观察到一系列分子间电荷转移所形成的双分子激子谱带，显示了斯塔......
采用电调制光谱技术研究了有机功能材料酞菁锡（ＳｎＰｃ）多晶薄膜中的电荷转移和激子跃迁谱带。显示了该技术在探测淹没于Ｆｒｅｎｋｅｌ激子带下面的微弱电......
基于手性分子为稳定剂的半导体纳米材料是一类新型手性纳米材料。该材料在多个领域有广泛的应用前景，如手性药物识别，手性催化，电子自......
Ⅱ-Ⅵ族半导体具有大的禁带宽度、较大的激子束缚能和强的室温激子效应，一向被认为是制备室温激子非线性器件和短波长发光器件的重......
报道用分子束外延 (MEB)技术生长的x =0 4 ,0 8的高组分稀磁半导体Cd1-xMnxTe/CdTe超晶格的光调制反射谱在室温和液氮下的实验结......
报道用分子束外延(MEB)技术生长的x=0.4,0.8的高组分稀磁半导体Cd1-xMnxTe/ CdTe超晶格的光调制反射谱在室温和液氮下的实验结果.......
利用变分法理论研究了ZnCdSe/ZnSe量子阱(QWs)中基态重空穴激子光跃迁能量随静压的变化关系.计入了有限高势垒效应.考虑了晶格常数......
报道用分子束外延（MBE）技术生长的x=0．4，0．8的高组分稀磁半导体Cd1-xMnxTe／CdTe超晶格低温和室温荧光谱研究结果。基态激子跃迁能级荧光......
测量以GaAs为衬底的Zn1-xCdxSe/ZnSe应变层多量子阱在不同温度下(18～300K)的光伏谱,研究Zn1-xCdxSe/ZnSe多量子阱的光伏效应和带间......
采用光致发光谱、光致发光激发谱以及拉曼光谱对GaN基量子阱材料进行了实验观察和分析.实验结果表明样品中量子点结构不均匀及InGa......
报道用分子束外延(MEB)技术生长的x=0.4,0.8的高组分稀磁半导体Cd1-xMnxTe/ CdTe超晶格的光调制反射谱在室温和液氮下的实验结果.......
