湿法化学腐蚀相关论文
多孔结构黑硅表面具有很低的反射率,本文采用金催化湿法化学腐蚀方法制备低表面反射率的多孔黑硅表面结构.本文研究了不同腐蚀时间......
GaN基薄膜材料由于其直接带隙、化学性质稳定且波段可调范围广等诸多优点已成为了半导体光电领域的研究热点，并在发光器件领域被广......
目前，AlGaN/GaN HFETs由于其在高功率、高频、高温电子器件应用领域有着巨大的应用潜力，成为了国内外研究的热点。但我们发现，由于GaN......
采用1000W卤钨灯作为光源,对GaN外延膜在KOH溶液中进行化学腐蚀,以显示晶体位错.采用扫描电子显微镜、原子力显微镜观察位错密度及......
反响的通道二极管(RTD ) 和高电子活动性晶体管(HEMT ) 的整体的集成是一个重要发展方向超离频速度集成电路。一种 top-RTD 和 bot......
利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术，在Si（111）衬底上外延生长不同厚度的GaN。外延层薄的GaN表面存在大量的V缺陷，并且V缺陷的两侧有相......
研究了采用熔融NaOH对MOCVD生长的GaN外延层的湿法腐蚀结果,结合原子力显微镜表征其腐蚀坑形貌及腐蚀坑密度,得出了优化的腐蚀条件......
采用1000W卤钨灯作为光源,对GaN外延膜在KOH溶液中进行化学腐蚀,以显示晶体位错.采用扫描电子显微镜、原子力显微镜观察位错密度及......
本文计算了AlGaN材料在不同温度KOH水溶液中的湿法腐蚀速率,并研究了湿法化学腐蚀GaN基材料对消除干法刻蚀所引入损伤的作用。为了......
硼扩散被广泛应用于n型硅基的p-n结制结工艺,然而硼扩散难免会在硅片表面形成一层很薄的的富硼层,该层由于富集无活性硼原子会严重......
