氮化铝晶体相关论文
AlN晶体是一种脆性难加工半导体材料。为了高效率高质量制备AlN晶体衬底，设计了不同化学成分的研磨液研磨AlN晶体，借助激光共聚焦显......
氮化铝(AlN)晶体是新型宽禁带半导体材料的典型代表,具有6.2eV的直接带隙、高热导率、高击穿场强、高电子饱和速率、高抗辐射能力......
采用基于密度泛函理论的第一性原理全势线性缀加平面波法,研究了C：Si共掺杂纤锌矿AlN的32原子超胞体系的能带结构、电子态密度等性......
采用有限元法模拟了物理气相传输法(PVT)制备大尺寸AIN晶体的温度场，应用ANSYS软件对比研究了在不同实验条件下生长系统的温度场分......
通过对氮化铝晶体及其制备方法高温物理气相法的简要介绍，总结了制备过程中的难点，并概述了在基本掌握了氮化铝晶体生长习性和工......
本研究采用物理气相法，在高纯氮气气氛下制备氮化铝(AlN)晶体，得到了最大尺寸为1.8mm×Φ1mm的氮化铝单晶体和5×Φ36mm的氮化铝多晶......
氮化铝(AlN)晶体是一种优良的直接带隙宽禁带(6.2eV)化合物半导体材料，在光电子领域，是一种理想的紫外光电子器件材料。同时氮化铝晶......
宽禁带III-V族氮化物半导体材料在短波段发光器件、光探测器件以及抗辐射、高频和大功率电子器件方面有着广阔应用前景。本文重点......
本文使用有限元法模拟氮化铝晶体生长系统的温度场，分析了坩埚的位置、感应线圈的匝间距以及原料与晶体之间的距离对温度场分布的影......
在氮化铝晶体生长工艺中,坩埚的使用寿命是主要技术难点之一。实验发现,在钨坩埚体和盖之间放置内径和外径与坩埚相同的石墨环,在......
