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在氮化铝晶体生长工艺中,坩埚的使用寿命是主要技术难点之一。实验发现,在钨坩埚体和盖之间放置内径和外径与坩埚相同的石墨环,在氮气环境下进行一次高温处理,使钨坩埚体与盖接触的部位形成碳化钨保护层,可以有效地解决高温下钨坩埚体与盖相粘结的问题,大大提高了坩埚的使用寿命。使用经过预处理的钨坩埚,用物理气相法生长出0.8mm×1.5mm氮化铝单晶体和36mm×5mm氮化铝多晶片。